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《国际产业》美光232层NAND晶片开始出货 年底量产

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美光科技周二宣布该公司最先进、全球首款232层NAND快闪记忆体晶片已经开始出货,该晶片由232层储存单元组成,可以支援消费电子产品、汽车和数据中心的数据密集型应用。

美光数据中心储存部门总经理Alvaro Toledo表示,此款最新晶片的数据传输速度比上一代NAND晶片加快50%。

美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示,美光的232层NAND 晶片是储存技术创新的分水岭,首次证明美光将3D NAND晶片扩展到 200层以上的生产能力。」

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Toledo表示,这款晶片的232层储存单元中,有16层可以一起封装在一个大小约只有邮票三分之一的外壳中,并可容纳2个TeraBytes的数据。他并表示,此款232层NAND晶片预计将在2022年底开始投入量产。

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